MDPspot W
包括一個額外的電阻率測量選項。測量硅的電阻率，可用于沒有高度調節可能性的晶圓，或晶磚。必須預先定義這兩個選項中的一個。
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MDPspot少子壽命測試儀特點：
◇ 無接觸無破壞的電學半導體特性
◇ 包括μ-PCD測量選項
◇ 對迄今為止看不見的缺陷的可視化和外延層的研究具有先進的靈敏度
◇ 集成多達四個激光器，用于寬的注入水平范圍
◇ 獲取單次瞬變的原始數據以及用于特殊評估目的的地圖
技術規格:
單晶或多晶片、晶磚、電池、硅片、鈍化或擴散等不同生產步驟后的晶片 | |
樣品尺寸 | 50 x 50 mm2 以上到 12“ 或 210 x 210 mm2 |
電阻率 | 0.2 - 103Ω·cm |
材料 | 晶片、晶磚、部分或加全部工的硅片、化合物半導體等 |
測量參數 | 載流子壽命 |
尺寸 | 360 x 360 x 520 mm, 重量: 16 kg |
電力 | 110/220 V, 50/60 Hz, 3 A |
MDPspot少子壽命測試儀優點：
◇ 臺式裝置，用于載流子壽命的單點測量，多晶硅或單晶硅在不同的制備階段，從原生材料到器件。
◇ 體積小，成本低，使用方便。附帶一個基本的軟件，用于在小型PC或筆記本上進行結果可視化。
◇ 適用于硅片到磚，操作高度調節方便。
細節：
◇ 允許單晶圓片調查
◇ 不同的晶圓級有不同的配方
◇ 監控物料、工藝質量和穩定性
附加選項：
◇ 光斑大小變化
◇ 電阻率測量(晶片)
◇ 背景/偏置光
◇ 反射測量(MDP)
◇ 軟件擴展
◇ 額外的激光器選配
MDPspot 應用：
鐵濃度測定
鐵的濃度的精確測定是非常重要的，因為鐵是硅中豐富也是有害的缺陷之一。因此，有必要盡可能準確和快速地測量鐵濃度，具有非常高的分辨率且**是在線的
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陷阱中心是非常重要的，為了了解材料中載流子的行為，也可以對太陽能電池產生影響。因此，需要以高分辨率測量這些陷阱中心的陷阱密度和活化能。
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注入相關測量
少數載流子壽命強烈依賴于注入(過剩余載流子濃度)。從壽命曲線的形狀和高度可以推斷出摻雜復合中心和俘獲中心的信息。
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